Références fabricant

MOSFET P STMicroelectronics 60 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET

Code commande RS:: 876-5689
Référence fabricant:: STL60P4LLF6
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET P STMicroelectronics 60 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET

Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros

Ajoutez 100 de plus pour économiser 41,50 €

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

12,60 €

15,10 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

2 960 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 mars 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*	Économie
10 - 90	1,26 €	12,60 €	-
100 - 490	0,845 €	8,45 €	41,50 €
500 - 990	0,672 €	6,72 €	294,00 €
1000 - 2990	0,634 €	6,34 €	626,00 €
3000 +	0,613 €	6,13 €	1 941,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 876-5689
Référence fabricant:: STL60P4LLF6
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	60A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Type de Boitier	PowerFLAT
	Série	STripFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	19mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	34nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	100W
	Tension directe Vf	1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	5.4mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	950μm
	Longueur	6.35mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 60A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Type de Boitier PowerFLAT
	Série STripFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 19mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 100W
	Tension directe Vf 1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 5.4mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 950μm
	Longueur 6.35mm
	Standard automobile Non

STL60P4LLF6 Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.