MOSFET canal N STMicroelectronics 90 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET F7

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Code commande RS:
165-8262
Référence fabricant:
STL90N6F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

90A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

STripFET F7

Type de Boitier

PowerFLAT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

5.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

25nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

94W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5.4mm

Largeur

6.35mm

Normes/homologations

No

Hauteur

0.95mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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