MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7
- Code commande RS:
- 168-6989
- Référence fabricant:
- STL60N10F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 24000 de plus pour économiser 1%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 013,00 €
HT
2 415,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 07 juin 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* | Économie |
|---|---|---|---|
| 3000 - 21000 | 0,671 € | 2 013,00 € | - |
| 24000 + | 0,662 € | 1 986,00 € | 1% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-6989
- Référence fabricant:
- STL60N10F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | STripFET H7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 5W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 5.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 950μm | |
| Largeur | 6.35mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série STripFET H7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 5W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 5.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 950μm | ||
Largeur 6.35mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 100 V Enrichissement PowerFLAT STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 100 V Enrichissement PowerFLAT STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement PowerFLAT STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 90 A 60 V Enrichissement PowerFLAT STripFET F7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 140 A 60 V Enrichissement PowerFLAT STripFET F7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement H2PAK STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement H2PAK STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 180 A 80 V Enrichissement H2PAK STripFET H7