Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7

Code commande RS:: 786-3741
Référence fabricant:: STL60N10F7
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7

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Unité	Prix par unité	le ruban*
5 - 45	1,692 €	8,46 €
50 - 245	1,378 €	6,89 €
250 - 495	1,05 €	5,25 €
500 +	0,93 €	4,65 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 786-3741
Référence fabricant:: STL60N10F7
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	60A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	PowerFLAT
	Série	STripFET H7
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	16.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	25nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	1.1V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	5W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	6.35mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	5.4mm
	Hauteur	0.95mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 60A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier PowerFLAT
	Série STripFET H7
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 16.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf 1.1V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 5W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 6.35mm
	Normes/homologations No
	Longueur 5.4mm
	Hauteur 0.95mm
	Standard automobile Non

STL60N10F7 N-channel Power MOSFET

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