MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7

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Code commande RS:
786-3726
Référence fabricant:
STL110N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET H7

Type de Boitier

PowerFLAT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

5W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

60nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.35mm

Normes/homologations

No

Longueur

5.4mm

Hauteur

950μm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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