MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

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786-3776
Référence fabricant:
STP110N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-220

Série

STripFET H7

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

72nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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