Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

Code commande RS:: 786-3776
Référence fabricant:: STP110N10F7
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (5 unités, dans un pack de 5)*

14,64 €

17,57 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

En stock

30 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Plus 635 unité(s) expédiée(s) à partir du 15 octobre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	2,928 €	14,64 €
50 - 120	2,668 €	13,34 €
125 +	2,222 €	11,11 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 786-3776
Référence fabricant:: STP110N10F7
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	110A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	STripFET H7
	Type de Boitier	TO-220
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	7mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	150W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	72nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	4.6mm
	Hauteur	15.75mm
	Longueur	10.4mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 110A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série STripFET H7
	Type de Boitier TO-220
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 7mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 150W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 72nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 4.6mm
	Hauteur 15.75mm
	Longueur 10.4mm
	Standard automobile Non

ST(F/P)110N10F7 N-channel Power MOSFET

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.