Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

Code commande RS:: 103-2007
Référence fabricant:: STP110N10F7
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

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50 - 200	1,572 €	78,60 €
250 - 450	1,533 €	76,65 €
500 +	1,49 €	74,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 103-2007
Référence fabricant:: STP110N10F7
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	110A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	STripFET H7
	Type de Boitier	TO-220
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	7mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	72nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd	150W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Hauteur	15.75mm
	Longueur	10.4mm
	Largeur	4.6mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 110A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série STripFET H7
	Type de Boitier TO-220
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 7mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 72nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd 150W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Hauteur 15.75mm
	Longueur 10.4mm
	Largeur 4.6mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

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