MOSFET N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

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Code commande RS:
103-2007
Référence fabricant:
STP110N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET H7

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

72nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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