MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

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Code commande RS:
103-2007
Référence fabricant:
STP110N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

110A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-220

Série

STripFET H7

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

72nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

15.75mm

Largeur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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