MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

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Code commande RS:
103-2008
Référence fabricant:
STP310N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-220

Série

STripFET H7

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

315W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

180nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Hauteur

15.75mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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