MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET H7

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Code commande RS:
103-2008
Référence fabricant:
STP310N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET H7

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

315W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

180nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Largeur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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