MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7

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Code commande RS:
792-5892
Référence fabricant:
STL30N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET H7

Type de Boitier

PowerFLAT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

35mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

75W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14nC

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.35mm

Largeur

5.4mm

Hauteur

950μm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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