Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7

Code commande RS:: 792-5892
Référence fabricant:: STL30N10F7
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET H7

Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros

Ajoutez 50 de plus pour économiser 2%

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

3,22 €

3,87 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

En stock

3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*	Économie
5 - 45	0,644 €	3,22 €	-
50 - 120	0,628 €	3,14 €	2%
125 - 495	0,614 €	3,07 €	4%
500 +	0,574 €	2,87 €	10%

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 792-5892
Référence fabricant:: STL30N10F7
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	30A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	PowerFLAT
	Série	STripFET H7
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	35mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	14nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	75W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	1.1V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	5.4mm
	Longueur	6.35mm
	Hauteur	950μm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 30A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier PowerFLAT
	Série STripFET H7
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 35mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 14nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 75W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 1.1V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 5.4mm
	Longueur 6.35mm
	Hauteur 950μm
	Standard automobile Non

STL30N10F7, N-Channel 100V, 0.027 Ohm typ., 8A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Data Sheet

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.