MOSFET canal N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK STripFET H7

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Code commande RS:
103-2006
Référence fabricant:
STH310N10F7-6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET H7

Type de Boitier

H2PAK

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

2.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

180nC

Dissipation de puissance maximum Pd

315W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

15.25mm

Hauteur

4.8mm

Normes/homologations

No

Largeur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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