MOSFET canal N STMicroelectronics 180 A 100 V Enrichissement, 7 broches, H2PAK STripFET H7

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Code commande RS:
103-2006
Référence fabricant:
STH310N10F7-6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

H2PAK

Série

STripFET H7

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Résistance Drain Source maximum Rds

2.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

180nC

Dissipation de puissance maximum Pd

315W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

10.4mm

Hauteur

4.8mm

Longueur

15.25mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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