MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET H7
- Code commande RS:
- 103-2005
- Référence fabricant:
- STD100N10F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (2500 unités, sur une bobine de 2500)*
3 100,00 €
HT
3 725,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 27 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 1,24 € | 3 100,00 € |
| 5000 + | 1,20 € | 3 000,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 103-2005
- Référence fabricant:
- STD100N10F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | STripFET H7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 61nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 120W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 6.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.6mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série STripFET H7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 61nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 120W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 6.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.6mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement TO-252 STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 45 A 100 V Enrichissement TO-252 STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 25 A 100 V Enrichissement TO-252 STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 180 A 80 V Enrichissement H2PAK STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 90 A 80 V Enrichissement TO-220 STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement TO-263 STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 100 V Enrichissement PowerFLAT STripFET H7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 100 V Enrichissement PowerFLAT STripFET H7