MOSFET N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET H7

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786-3592
Référence fabricant:
STD100N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

STripFET H7

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

61nC

Dissipation de puissance maximum Pd

120W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.6mm

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

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