Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET H7

Code commande RS:: 786-3592
Référence fabricant:: STD100N10F7
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET H7

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Code commande RS:: 786-3592
Référence fabricant:: STD100N10F7
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	80A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	STripFET H7
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	8mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	61nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	1.2V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	120W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	6.2mm
	Longueur	6.6mm
	Hauteur	2.4mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 80A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série STripFET H7
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 8mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 61nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf 1.2V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 120W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 6.2mm
	Longueur 6.6mm
	Hauteur 2.4mm
	Standard automobile Non

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