MOSFET canal N STMicroelectronics 180 A 80 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK STripFET H7

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792-5855
Référence fabricant:
STH270N8F7-2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

H2PAK

Série

STripFET H7

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

21mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

193nC

Dissipation de puissance maximum Pd

315W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.8mm

Largeur

15.8mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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