MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET H7

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Code commande RS:
165-6549
Référence fabricant:
STB100N10F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET H7

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

61nC

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Largeur

9.35mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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