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MOSFET canal N STMicroelectronics 140 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET F7

Code commande RS:: 907-4766
Référence fabricant:: STL140N6F7
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 140 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET F7

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Code commande RS:: 907-4766
Référence fabricant:: STL140N6F7
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	140A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	PowerFLAT
	Série	STripFET F7
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	55nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	125W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	1.2V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	950μm
	Longueur	6.15mm
	Largeur	5.2mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 140A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier PowerFLAT
	Série STripFET F7
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 55nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 125W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 1.2V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 950μm
	Longueur 6.15mm
	Largeur 5.2mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

STL140N6F7, N-Channel 60V, 140A STripFET F7 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6mm Package

Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

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