MOSFET N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET F7

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

7,54 €

HT

9,05 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard

Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 400,754 €7,54 €
50 - 900,734 €7,34 €
100 - 2400,715 €7,15 €
250 - 4900,696 €6,96 €
500 +0,68 €6,80 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
906-4680
Référence fabricant:
STP100N6F7
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-220

Série

STripFET F7

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

5.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.15mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté