MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET F7
- Code commande RS:
- 906-4680
- Référence fabricant:
- STP100N6F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
8,50 €
HT
10,20 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 190 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,85 € | 8,50 € |
| 100 - 490 | 0,802 € | 8,02 € |
| 500 - 990 | 0,793 € | 7,93 € |
| 1000 - 1990 | 0,783 € | 7,83 € |
| 2000 + | 0,774 € | 7,74 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 906-4680
- Référence fabricant:
- STP100N6F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | STripFET F7 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 9.15mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série STripFET F7 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 9.15mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement TO-220 STripFET F7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 60 V Enrichissement TO-220 STripFET F7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement TO-263 STripFET F7
- MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 545 A 60 V Enrichissement TO-LL STripFET F7 Non
- MOSFET canal N STMicroelectronics 140 A 60 V Enrichissement PowerFLAT STripFET F7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 90 A 60 V Enrichissement PowerFLAT STripFET F7
- MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 120 V Enrichissement TO-220 STripFET
- MOSFET canal N STMicroelectronics 15 A 200 V Enrichissement TO-220 STripFET