MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET F7

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Code commande RS:
168-8958
Référence fabricant:
STP100N6F7
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

STripFET F7

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

5.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12.6nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.4mm

Hauteur

9.15mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.6mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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