MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET F7
- Code commande RS:
- 906-4668
- Référence fabricant:
- STB100N6F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 906-4668
- Référence fabricant:
- STB100N6F7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | STripFET F7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 9.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série STripFET F7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 9.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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