MOSFET N STMicroelectronics 75 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 ruban de 2 unités)*

13,39 €

HT

16,068 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 990 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le ruban*
2 - 186,695 €13,39 €
20 - 1986,03 €12,06 €
200 +5,56 €11,12 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
151-920
Référence fabricant:
STB75NF20
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

STripFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.034Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

50°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

84nC

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

4.6mm

Longueur

15.85mm

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics réalisé avec un procédé STripFET unique a été spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de grille. Il est donc adapté comme commutateur primaire dans les convertisseurs c.c.-c.c. isolés à haut rendement avancés.

Capacité dv/dt exceptionnelle

100 % testé contre les avalanches

Faible charge de grille

Nos clients ont également consulté