MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET

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810-7499
Référence fabricant:
STB30NF20
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

75mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

38nC

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Largeur

9.35mm

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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