MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET

Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
Options de conditionnement :
Code commande RS:
810-7499
Référence fabricant:
STB30NF20
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

STripFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

75mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

38nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Largeur

9.35mm

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.