MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET
- Code commande RS:
- 760-9828
- Référence fabricant:
- STB160N75F3
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
3,73 €
HT
4,48 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 3 831 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,73 € |
| 10 - 99 | 2,47 € |
| 100 - 499 | 1,84 € |
| 500 - 999 | 1,80 € |
| 1000 + | 1,77 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 760-9828
- Référence fabricant:
- STB160N75F3
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Série | STripFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 85nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Longueur | 10.75mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Série STripFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 85nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Longueur 10.75mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement TO-263 STripFET
- MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement TO-263 STripFET F3
- MOSFET canal N STMicroelectronics 75 A 75 V Enrichissement TO-263 STripFET II
- MOSFET canal N STMicroelectronics 75 A 200 V Enrichissement TO-263 STripFET
- MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 100 V Enrichissement TO-263 STripFET II
- MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 40 V Enrichissement TO-263 STripFET II AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement TO-220 STripFET II
- MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 200 V Enrichissement TO-263 STripFET