MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1000 unités, sur une bobine de 1000)*

1 942,00 €

HT

2 330,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 - 10001,942 €1 942,00 €
2000 +1,89 €1 890,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
168-7477
Référence fabricant:
STB160N75F3
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Série

STripFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

85nC

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

330W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.6mm

Largeur

10.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.75mm

Standard automobile

Non

Canal N STripFET™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.