MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET F3

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1000 unités, sur une bobine de 1000)*

1 373,00 €

HT

1 648,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 27 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 - 10001,373 €1 373,00 €
2000 +1,171 €1 171,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
165-7785
Référence fabricant:
STB140NF75T4
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET F3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

160nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

310W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.6mm

Largeur

9.35mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.