Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET F3 AEC-Q101

Code commande RS:: 795-9000
Référence fabricant:: STD65N55F3
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET F3 AEC-Q101

Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros

Ajoutez 50 de plus pour économiser 12,10 €

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

10,08 €

12,10 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

En stock

22 400 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*	Économie
5 - 45	2,016 €	10,08 €	-
50 - 245	1,774 €	8,87 €	12,10 €
250 - 495	1,584 €	7,92 €	108,00 €
500 +	1,36 €	6,80 €	328,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 795-9000
Référence fabricant:: STD65N55F3
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	80A
	Tension Drain Source maximum Vds	55V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	STripFET F3
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	8.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	1.5V
	Dissipation de puissance maximum Pd	110W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	33.5nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	6.2mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.6mm
	Hauteur	2.4mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 80A
	Tension Drain Source maximum Vds 55V
	Type de Boitier TO-252
	Série STripFET F3
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 8.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 1.5V
	Dissipation de puissance maximum Pd 110W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 33.5nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 6.2mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.6mm
	Hauteur 2.4mm
	Standard automobile AEC-Q101

STD65N55F3, N-Channel 55V - 6.5mOhm - 80A - DPAK STripFET Power MOSFET Data Sheet

Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.