Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET F3 AEC-Q101

Code commande RS:: 907-4744
Référence fabricant:: STL8N10LF3
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET F3 AEC-Q101

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100 - 490	1,034 €	10,34 €	47,80 €
500 - 990	0,841 €	8,41 €	335,50 €
1000 - 2990	0,807 €	8,07 €	705,00 €
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Code commande RS:: 907-4744
Référence fabricant:: STL8N10LF3
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	20A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	PowerFLAT
	Série	STripFET F3
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	50mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	20.5nC
	Tension directe Vf	1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd	70W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	5.2mm
	Longueur	6.15mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	950μm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 20A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier PowerFLAT
	Série STripFET F3
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 20.5nC
	Tension directe Vf 1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd 70W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 5.2mm
	Longueur 6.15mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 950μm
	Standard automobile AEC-Q101

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