Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET F3 AEC-Q101

Code commande RS:: 907-4744
Référence fabricant:: STL8N10LF3
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET F3 AEC-Q101

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100 - 490	1,034 €	10,34 €
500 - 990	0,841 €	8,41 €
1000 - 2990	0,807 €	8,07 €
3000 +	0,798 €	7,98 €

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Code commande RS:: 907-4744
Référence fabricant:: STL8N10LF3
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	20A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	STripFET F3
	Type de Boitier	PowerFLAT
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	50mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	20.5nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	70W
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	950μm
	Longueur	6.15mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	5.2mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 20A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série STripFET F3
	Type de Boitier PowerFLAT
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 20.5nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 70W
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 950μm
	Longueur 6.15mm
	Normes/homologations No
	Largeur 5.2mm
	Standard automobile AEC-Q101

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