MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET F3 AEC-Q101

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Code commande RS:
165-8008
Référence fabricant:
STL8N10LF3
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PowerFLAT

Série

STripFET F3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

50mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20, +20V

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

5.2mm

Hauteur

0.95mm

Longueur

6.15mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Canal N STripFET™ F3, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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