Références fabricant

MOSFET 1 canal N Simple STMicroelectronics 40 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET AEC-Q101

Code commande RS:: 188-8293
Référence fabricant:: STL40DN3LLH5
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET 1 canal N Simple STMicroelectronics 40 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STripFET AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 776,00 €

2 130,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,592 €	1 776,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 188-8293
Référence fabricant:: STL40DN3LLH5
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	40A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Série	STripFET
	Type de Boitier	PowerFLAT
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	25mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	22V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	4.5nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	50W
	Tension directe Vf	1.1V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Configuration du transistor	Simple
	Longueur	6.2mm
	Hauteur	0.95mm
	Largeur	5.1mm
	Normes/homologations	No
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 40A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Série STripFET
	Type de Boitier PowerFLAT
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 25mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs 22V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.5nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 50W
	Tension directe Vf 1.1V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Configuration du transistor Simple
	Longueur 6.2mm
	Hauteur 0.95mm
	Largeur 5.1mm
	Normes/homologations No
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet STL40DN3LLH5

Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N développé à l'aide de la technologie STripFET TM H5 de STMicroelectronics. Le dispositif a été optimisé pour obtenir une très faible résistance à l'état passant, ce qui contribue à un FoM parmi les meilleurs de sa catégorie.

Faible résistance à l'état passant

Robustesse à avalanche élevée

Faible perte de puissance de commande de grille

Boîtier à flanc mouillable

Applications

Applications de commutation

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