MOSFET canal N STMicroelectronics 80 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 DeepGate, STripFET AEC-Q101

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791-9308
Référence fabricant:
STD80N4F6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-252

Série

DeepGate, STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

36nC

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.6mm

Largeur

6.2mm

Standard automobile

AEC-Q101

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics


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