MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 DeepGate, STripFET

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760-9673
Référence fabricant:
STP260N6F6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

DeepGate, STripFET

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

183nC

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.6mm

Normes/homologations

No

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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