MOSFET N STMicroelectronics 80 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 DeepGate, STripFET AEC-Q101

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Code commande RS:
165-6582
Référence fabricant:
STD80N4F6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-252

Série

DeepGate, STripFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

70W

Tension directe Vf

1.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

36nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.6mm

Hauteur

2.4mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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