Références fabricant

MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK DeepGate, STripFET

Code commande RS:: 168-8819
Référence fabricant:: STH150N10F7-2
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET canal N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, H2PAK DeepGate, STripFET

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Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 921,00 €

2 305,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 - 1000	1,921 €	1 921,00 €
2000 +	1,898 €	1 898,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 168-8819
Référence fabricant:: STH150N10F7-2
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	110A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	DeepGate, STripFET
	Type de Boitier	H2PAK
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	3.9mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	1.2V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	117nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	250W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	10.4mm
	Largeur	10.57mm
	Hauteur	4.8mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 110A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série DeepGate, STripFET
	Type de Boitier H2PAK
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 3.9mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 1.2V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 117nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 250W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 10.4mm
	Largeur 10.57mm
	Hauteur 4.8mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

STH150N10F7-2, N-channel 100V, 3.4mOhm typ., 110A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 Package

Pays d'origine :: CN

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

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