MOSFET canal N STMicroelectronics 5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DeepGate, STripFET

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Code commande RS:
795-8868
Référence fabricant:
STS5NF60L
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOIC

Série

DeepGate, STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

55mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17nC

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

4mm

Hauteur

1.65mm

Longueur

5mm

Standard automobile

Non

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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