MOSFET P STMicroelectronics 10 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC STripFET

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Code commande RS:
876-5711
Référence fabricant:
STS10P4LLF6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

STripFET

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

-1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.7W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

34nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5mm

Normes/homologations

No

Largeur

4mm

Hauteur

1.5mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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