MOSFET P STMicroelectronics 2 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 STripFET
- Code commande RS:
- 145-8882
- Référence fabricant:
- STR2P3LLH6
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
492,00 €
HT
591,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 21 mai 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,164 € | 492,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,162 € | 486,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,16 € | 480,00 € |
| 24000 + | 0,158 € | 474,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-8882
- Référence fabricant:
- STR2P3LLH6
- Marque:
- STMicroelectronics
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | STripFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.75mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Hauteur | 1.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série STripFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.75mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Hauteur 1.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
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