MOSFET P STMicroelectronics 2 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 STripFET

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Code commande RS:
145-8882
Référence fabricant:
STR2P3LLH6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

STripFET

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

90mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

350mW

Tension directe Vf

-1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.3mm

Longueur

3.04mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics


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Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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