MOSFET N STMicroelectronics 2.3 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 STripFET V
- Code commande RS:
- 791-7876
- Référence fabricant:
- STR2N2VH5
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
6,44 €
HT
7,73 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,644 € | 6,44 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 791-7876
- Référence fabricant:
- STR2N2VH5
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | STripFET V | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.3mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série STripFET V | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.3mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N STripFET™ V, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 2.3 A 20 V Enrichissement SOT-23 STripFET V
- MOSFET P STMicroelectronics 2 A 30 V Enrichissement SOT-23 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 23 A 100 V Enrichissement TO-252 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 2.4 A 100 V Enrichissement SOT-223 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 4 A 60 V Enrichissement SOT-223 STripFET
- MOSFET N STMicroelectronics 6.5 A 30 V Enrichissement SOT-223 STripFET
- MOSFET P STMicroelectronics 3 A 60 V Enrichissement SOT-223 STripFET
- MOSFET N onsemi 2.3 A 150 V Enrichissement SOT-23 PowerTrench
