MOSFET P STMicroelectronics 3 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 STripFET

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Code commande RS:
877-2949
Référence fabricant:
STN3P6F6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-223

Série

STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2.6W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.4nC

Tension directe Vf

-1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.8mm

Longueur

6.7mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.7mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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