Références fabricant

MOSFET P STMicroelectronics 3 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 STripFET

Code commande RS:: 877-2949
Référence fabricant:: STN3P6F6
Marque:: STMicroelectronics

MOSFET P STMicroelectronics 3 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 STripFET

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Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 90	0,62 €	6,20 €
100 - 490	0,411 €	4,11 €
500 - 990	0,354 €	3,54 €
1000 - 1990	0,349 €	3,49 €
2000 +	0,345 €	3,45 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 877-2949
Référence fabricant:: STN3P6F6
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	3A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	STripFET
	Type de Boitier	SOT-223
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	160mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	6.4nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.6W
	Tension directe Vf	-1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	3.7mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.7mm
	Hauteur	1.8mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 3A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série STripFET
	Type de Boitier SOT-223
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 160mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.4nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.6W
	Tension directe Vf -1.1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 3.7mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.7mm
	Hauteur 1.8mm
	Standard automobile Non

STN3P6F6, P-Channel 60V, 0.13 Ohm typ., 3A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT-223 Package

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

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