MOSFET P STMicroelectronics 2 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 STripFET

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Code commande RS:
876-5702
Référence fabricant:
STR2P3LLH6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-23

Série

STripFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

90mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

350mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.75mm

Hauteur

1.3mm

Longueur

3.04mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics


Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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