MOSFET de puissance 2 canal Type N Isolé STMicroelectronics 4 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC STripFET Non

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Code commande RS:
485-8358
Numéro d'article Distrelec:
304-42-969
Référence fabricant:
STS4DNF60L
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

STripFET

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

55mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Température minimum de fonctionnement

150°C

Température d'utilisation maximum

-55°C

Configuration du transistor

Isolé

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Hauteur

1.25mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

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