MOSFET canal N STMicroelectronics 18 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 850,00 €

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Code commande RS:
165-6596
Référence fabricant:
STD25NF20
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

18A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

STripFET

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

125mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

28nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.2mm

Hauteur

2.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.6mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Canal N STripFET™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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