MOSFET N STMicroelectronics 75 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET

Voir la catégorie

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

2 518,00 €

HT

3 022,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +2,518 €2 518,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
151-918
Référence fabricant:
STB75NF20
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-263

Série

STripFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.034Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

50°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

84nC

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

4.6mm

Longueur

15.85mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics réalisé avec un procédé STripFET unique a été spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de grille. Il est donc adapté comme commutateur primaire dans les convertisseurs c.c.-c.c. isolés à haut rendement avancés.

Capacité dv/dt exceptionnelle

100 % testé contre les avalanches

Faible charge de grille

Nos clients ont également consulté