MOSFET canal N STMicroelectronics 75 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 STripFET
- Code commande RS:
- 151-918
- Référence fabricant:
- STB75NF20
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 2,275 € | 2 275,00 € |
| 2000 + | 2,073 € | 2 073,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-918
- Référence fabricant:
- STB75NF20
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | STripFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.034Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 84nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | 50°C | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Longueur | 15.85mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série STripFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.034Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 84nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen 50°C | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Longueur 15.85mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 10.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics réalisé avec un procédé STripFET unique a été spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de grille. Il est donc adapté comme commutateur primaire dans les convertisseurs c.c.-c.c. isolés à haut rendement avancés.
Capacité dv/dt exceptionnelle
100 % testé contre les avalanches
Faible charge de grille
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