MOSFET de puissance P STMicroelectronics 6 A 700 V Enrichissement, 2 broches, TO-252 G-HEMT
- Code commande RS:
- 719-638
- Référence fabricant:
- SGT350R70GTK
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 719-638
- Référence fabricant:
- SGT350R70GTK
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Canal P | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | G-HEMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 350mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 47W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -1.4, 7V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Largeur | 6.7mm | |
| Longueur | 6.2mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Canal P | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série G-HEMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 2 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 350mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 47W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -1.4, 7V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Largeur 6.7mm | ||
Longueur 6.2mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor PowerGaN e-mode 700 V 6 A de STMicroelectronics est combiné à une technologie d'emballage bien établie. Le dispositif G-HEMT qui en résulte fournit des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevée et un fonctionnement de commutation ultrarapide pour permettre une haute densité de puissance et des performances d'efficacité inégalées. Recommandé pour les applications QR grand public avec mise sous tension de courant zéro.
Mode d'amélioration normalement désactivé pour transistor
Vitesse de commutation très élevée
Capacité de gestion de puissance élevée
Capacités extrêmement faibles
Coussin source Kelvin pour un entraînement de porte optimal
Charge de récupération inverse zéro
Protection ESD
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