Transistor P STMicroelectronics 11.5 A 700 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT G-HEMT
- Code commande RS:
- 719-635
- Référence fabricant:
- SGT190R70ILB
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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| 100 - 499 | 1,14 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-635
- Référence fabricant:
- SGT190R70ILB
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Canal P | |
| Type de produit | Transistor | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 700V | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | G-HEMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -6, 7V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 0.9mm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Canal P | ||
Type de produit Transistor | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 700V | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série G-HEMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -6, 7V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 0.9mm | ||
Longueur 8.1mm | ||
Largeur 8.1mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor PowerGaN e-mode 700 V 11,5 A de STMicroelectronics est combiné à une technologie d'emballage bien établie. Le dispositif G-HEMT qui en résulte fournit des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevée et un fonctionnement de commutation ultra-rapide pour permettre une haute densité de puissance et des performances de rendement imbattables.
Mode d'amélioration normalement désactivé pour transistor
Vitesse de commutation très élevée
Capacité de gestion de puissance élevée
Capacités extrêmement faibles
Coussin source Kelvin pour un entraînement de porte optimal
Charge de récupération inverse zéro
Protection ESD
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