MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 56 A 250 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP25
- Code commande RS:
- 711-524
- Référence fabricant:
- STP25N018M9
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 711-524
- Référence fabricant:
- STP25N018M9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 56A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Série | STP25 | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 320W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 85nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 56A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Série STP25 | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 320W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 85nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.75mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie MDmesh M9 à superconjonction la plus innovante, adaptée aux transistors MOSFET à moyenne/haute tension avec très faible RDS(on) par zone. La technologie M9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication multi-drain qui permet une structure de dispositif améliorée. Le résultat Le produit est doté d'une des valeurs de résistance sous tension plus faibles et de charge de grille réduite, parmi tous les transistors MOSFET de puissance à superconnexion à commutation rapide à base de silicium, ce qui le rend particulièrement adapté aux applications qui exigent une densité de puissance supérieure et un rendement exceptionnel.
Très faible FOM (RDS(on)·Qg)
Capacité dv/dt plus élevée
Excellentes performances de commutation
Manipulation facile
100 % testé contre les avalanches
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