MOSFET de puissance N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 FDmesh

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Code commande RS:
168-7485
Référence fabricant:
STP11NM60ND
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Série

FDmesh

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.45Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

90W

Tension directe Vf

1.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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