MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh
- Code commande RS:
- 761-0011
- Référence fabricant:
- STP14NM50N
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 10 de plus pour économiser 15%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
3,84 €
HT
4,61 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 120 unité(s) expédiée(s) à partir du 10 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 3,84 € | - |
| 10 - 99 | 3,24 € | 15% |
| 100 - 499 | 2,62 € | 31% |
| 500 - 999 | 2,33 € | 39% |
| 1000 + | 1,97 € | 48% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 761-0011
- Référence fabricant:
- STP14NM50N
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | MDmesh | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 320mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 27nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 90W | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -25V, +25V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 15.75mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série MDmesh | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 320mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 27nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 90W | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -25V, +25V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 15.75mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.6mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Canal N MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 500 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 14 A 500 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 21 A 500 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 14 A 500 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 7.2 A 500 V Enrichissement TO-220 MDmesh, SuperMESH
- MOSFET canal N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 11 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh
- MOSFET canal N STMicroelectronics 20 A 600 V Enrichissement TO-220 MDmesh