MOSFET canal N STMicroelectronics 4 A 1.5 kV Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh

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Code commande RS:
761-0588
Référence fabricant:
STP4N150
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

1.5kV

Série

MDmesh

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

7Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

2V

Dissipation de puissance maximum Pd

160W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

30nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

15.75mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics


Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics


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