MOSFET de puissance 2 canal Type P, Type N Isolé onsemi 510 mA 60 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 Non
- Code commande RS:
- 761-4574
- Référence fabricant:
- NDC7001C
- Marque:
- onsemi
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 761-4574
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- NDC7001C
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type P, Type N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 510mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 960mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Longueur | 3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 1.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type P, Type N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 510mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 960mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Longueur 3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 1.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Le NDC7001C est un double transistor MOSFET à canal N et P qui est doté de la technologie DMOS d'ON Semi. Les DMO garantissent une commutation, une fiabilité et une résistance à l'état passant rapides. Ces transistors MOSFET sont de type boîtier SOT-23 avec 6 broches.
Caractéristiques et avantages :
Technologie DMOS
• Courant de saturation élevé
Conception de cellule haute densité
Cadre de câble en cuivre pour des capacités thermiques et électriques supérieures
Les transistors MOSFET NDC7001C sont parfaits pour :
Faible tension
• Faible courant
• Commutation
• Alimentations
Transistor MOSFET à double canal P, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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