MOSFET onsemi canal N/P, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches

Les transistors à effet de champ en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Le NDC7001C est un double transistor MOSFET à canal N et P qui est doté de la technologie DMOS d'ON Semi. Les DMO garantissent une commutation, une fiabilité et une résistance à l'état passant rapides. Ces transistors MOSFET sont de type boîtier SOT-23 avec 6 broches.

Technologie DMOS
• Courant de saturation élevé
Conception de cellule haute densité
Cadre de câble en cuivre pour des capacités thermiques et électriques supérieures

Faible tension
• Faible courant
• Commutation
• Alimentations

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.