Références fabricant

MOSFET 2 canal Type P, Type N Isolé onsemi 680 mA 25 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 Non

Code commande RS:: 354-4985
Référence fabricant:: FDC6321C
Marque:: onsemi

MOSFET 2 canal Type P, Type N Isolé onsemi 680 mA 25 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 Non

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10 - 99	0,79 €	1,50 €
100 - 499	0,68 €	26,00 €
500 - 999	0,61 €	165,00 €
1000 +	0,55 €	390,00 €

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Code commande RS:: 354-4985
Référence fabricant:: FDC6321C
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	Type P, Type N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	680mA
	Tension Drain Source maximum Vds	25V
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	6
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.1mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	1.1nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	8V, -8V
	Tension directe Vf	890mV
	Dissipation de puissance maximum Pd	900mW
	Température d'utilisation maximum	+150°C
	Configuration du transistor	Isolé
	Longueur	3mm
	Hauteur	1mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	1.7mm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal Type P, Type N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 680mA
	Tension Drain Source maximum Vds 25V
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 6
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.1mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.1nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 8V, -8V
	Tension directe Vf 890mV
	Dissipation de puissance maximum Pd 900mW
	Température d'utilisation maximum +150°C
	Configuration du transistor Isolé
	Longueur 3mm
	Hauteur 1mm
	Normes/homologations No
	Largeur 1.7mm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

FDC6321C, Dual N and P Channel, Digital FET

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Transistors MOSFET, ON Semi

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Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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