MOSFET 2 canal Type P, Type N Isolé onsemi 680 mA 25 V Enrichissement, 6 broches, SOT-23 Non
- Code commande RS:
- 166-2481
- Référence fabricant:
- FDC6321C
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
864,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,288 € | 864,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-2481
- Référence fabricant:
- FDC6321C
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P, Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 680mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 890mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V, -8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 900mW | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.7mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P, Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 680mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 890mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V, -8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 900mW | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.7mm | ||
Longueur 3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors FET numériques, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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