MOSFET P onsemi 1.37 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-70
- Code commande RS:
- 780-4767
- Référence fabricant:
- NTS4101PT1G
- Marque:
- onsemi
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 780-4767
- Référence fabricant:
- NTS4101PT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.37A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | SC-70 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 160mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -8V, +8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 329mW | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Largeur | 1.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 900μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.37A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier SC-70 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 160mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -8V, +8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 329mW | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.2mm | ||
Largeur 1.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 900μm | ||
Standard automobile Non | ||
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