MOSFET P onsemi 1.37 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SC-70

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 ruban de 50 unités)*

10,20 €

HT

12,25 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Pénurie d'approvisionnement
  • 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.

Unité
Prix par unité
le ruban*
50 - 4500,204 €10,20 €
500 - 9500,176 €8,80 €
1000 +0,152 €7,60 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
780-4767
Référence fabricant:
NTS4101PT1G
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

1.37A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SC-70

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

160mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

329mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.4nC

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.35mm

Normes/homologations

No

Longueur

2.2mm

Hauteur

0.9mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 20 V, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.